Equivalência de BYW
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| Ref. | Equiv. | Aplic. | ucb | uce | ueb | PAR | Box Caixa | Pinos Pinout |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYW07/...(M) Diodo Silicio |
BYT60/..., BYW 08/..., BYW94/... | 50..200V, 70A, <50ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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 |
|||
| BYW07/...R,RM Diodo Silicio |
BYT60/...R | =BYW 07/..(M) | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
 |
|||
| BYW08/...(M) Diodo Silicio |
- | 50..200V, 80A, <60ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
|||
| BYW10/... Diodo Silicio |
BY 218/..., BY 258/..., RGP 15A...M | 50..1000V, 1,5A, <400ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
 |
|
|||
| BYW10/...R Diodo Silicio |
BY 218/..., BY 258/..., RGP 15A...M | =BYW 10/.. | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
|||
| BYW100/.. Diodo Silicio |
BYD74A...G, BYV27/..., EGP 20A...D | 50..200V, 1,5A, <35ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
 |
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| BYW11/... Diodo Silicio |
BYT61/..., BYX50/..., BYX66/... | 50..1000V, 6A, <400ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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|||
| BYW11/...R Diodo Silicio |
BYT61/...R, BYX50/...R, BYX66/...R | =BYW 11/.. | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYW12/... Diodo Silicio |
BYX30/... | 50..1000V, 15A, <400ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYW12/...R Diodo Silicio |
BYX30/...R | =BYW 12/.. | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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