Equivalência de BYV
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| Ref. | Equiv. | Aplic. | ucb | uce | ueb | PAR | Box Caixa | Pinos Pinout |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BYV10-...(A) Diodo Silicio |
BYS21/..., SB 120...180, 1N5817...5819 | 20..60V, 1A, <30ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYV118-... Diodo Silicio |
BYS24-45, BYV33-..., BYV133-... | 35..45V, 9A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
 |
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| BYV118F-... Diodo Silicio |
BYV33F-..., BYV133F-... | =BYV 118-.. | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYV12 Diodo Silicio |
BY 218/100, BYW32...36, RGP 15B...M | 100..1000V, 1,5A, <300ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
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| BYV120-...(M) Diodo Silicio |
BYS15, MBR1535...1540, 1N2528 | 35..45V, 13,5A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYV121-...(M) Diodo Silicio |
BYS31-..., BYS32, MBR2535...40, 1N5831 | 35..45V, 27A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYV123-45 Diodo Silicio |
BYS71-50, BYS72, BYS76-45, MBR7545 | 45V, 70A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYV13 Diodo Silicio |
BY 218/400, BYW34...36, RGP 15G...M | =BYV 12, 400V | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYV133-... Diodo Silicio |
BYV33-..., BYV133-..., MBR2035...2045 | 35..45V, 18A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| BYV133F-... Diodo Silicio |
BYV33F-..., BYV43F-..., BYV143F-... | =BYV 133-.. | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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