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| Ref. | Equiv. | Aplic. | ucb | uce | ueb | PAR | Box Caixa | Pinos Pinout |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 115 PNP Silicio |
=FC115 | =FC 115 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
 |
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| 116 NPN Silicio |
=FC116 | =FC 116 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
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| 117 PNP Silicio |
=FC117 | =FC 117 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
 |
|
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| 118 NPN Silicio |
=FC118 | =FC 118 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
|||
| 119 NPN Silicio |
=FC119 | =FC 119 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
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| 11B Diodo Zener |
=HZF11BP | =HZF 11BP | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 11C Diodo Zener |
=HZF11CP | =HZF 11CP | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 11DF1..DF4 Diodo Silicio |
EGP 10B...G, FE 1B...H | 100..400V, 1A, 30ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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 |
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| 11E1..E4 Diodo Silicio |
BY 126...127, BY 133...135, 1N4001...4007 | 100..400V, 1A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
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| 11EFS1..EFS4 Diodo Silicio |
EGP 10B...G, FE 1B...H | 100..400V, 1A, <30ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
Equivalência Transistor (series)
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