Equivalência de
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| Ref. | Equiv. | Aplic. | ucb | uce | ueb | PAR | Box Caixa | Pinos Pinout |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10D1..D10 Diodo Silicio |
BY 126...127, BY 133...135, 1N4001...4007 | 100..1000V, 1A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 10DF1..DF8 Diodo Silicio |
BYD33D...M, BYT52B...M, RGP 10B...M | 100..800V, 1A, 100..200ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
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| 10E1..E8 Diodo Silicio |
BY 126...127, BY 133...135, 1N4001...4007 | 100..800V, 1A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
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| 10EF1..EF2 Diodo Silicio |
BYD33D...M, BYT52B...M, RGP 10B...M | 100..200V, 1A, <200ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 10ELS1..ELS6 Diodo Silicio |
BYT11-..., BYT52B...M, BYV26B...E | 100..600V, 1A, <150ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
|
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| 10KF10..KF40 Diodo Silicio |
BYT79-... | 100..400V, 10A, <35..45ns | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 10KF10B..KF40B Diodo Silicio |
- | =10 KF10..KF40 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 10SP-01..10 Diodo Silicio |
- | 50..1000V, 10A | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 10Y Diodo Zener |
=BZV49/C10 | =BZV 49/C10 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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| 11 FET Canal N |
=FC11 | =FC 11 | IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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Equivalência Transistor (series)
Diodos Equivalentes (series)
Equivalência Circuitos Integrados
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