Equivalência de P13

Pesquisa: P13
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Ref.	Equiv.	Aplic.	ucb	uce	ueb	PAR
1P137 PNP Silicio + Resist. Chaveamento	=RT1P137L Eur: Jap: Usa: Rus:	=RT 1P137L				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
BFP13 NPN Silicio Chaveamento / saida de video	MPSA44...45, 2SD1350 Eur: Jap: Usa: Rus:	=BFP 11, 350V	350V	300V	-	HFE:40MIN Pc:1.25W I_c:500mA F_t:60MHz CC:- TJ:150>C
BSP130 MOS FET Canal N SMD	- Eur: Jap: Usa: Rus:	300V, 0,3A, <8Ohm, 2,5/17ns				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
BSP135 MOS FET Canal N SMD	- Eur: Jap: Usa: Rus:	=BSS 135, 0,1A				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
IRFP130..133 MOS FET Canal N Uso diverso	2SK572 Eur: Jap: Usa: Rus:	=IRF 530..533				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
KSP13 Darlington NPN Silicio Uso geral	=MPSA13 Eur: Jap: Usa: Rus:	=MPSA 13	30V	30V	10V	HFE:5000T Pc:625mW I_c:500mA F_t:125MHz CC:- TJ:150>C
P13 FET Canal N SMD	=PMBFJ 113 Eur: Jap: Usa: Rus:	=PMBFJ 113				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
RT1P137L PNP Silicio + Resist. Chaveamento	- Eur: Jap: Usa: Rus:	Rb=1k, Rbe=22kOhm, 40V, 1A, 0,9W				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
RT1P137P PNP Silicio + Resist. SMD	- Eur: Jap: Usa: Rus:	=RT 1P137L, SMD				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TIP130 Darlington NPN Silicio + Diodo Audio / chaveamento / estágios de potência	BD647, BD897, BDW73A, BDX53A Eur: Jap: Usa: Rus:	60V, 8A, 70W, B>1000	60V	60V	5V	HFE:1KMIN Pc:70W I_c:8A F_t: CC:200 TJ:150>C

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