Equivalência de GP
Pesquisa: GP
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| Ref. | Equiv. | Aplic. | ucb | uce | ueb | PAR | Box Caixa | Pinos Pinout |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BY127(M,GP) Diodo Silicio |
BY 133, BY 227, BYX87, EM513, 1N4007 |
=BY 126, 1250V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY133(GP) Diodo Silicio |
BY 127, BY 227, BYX87, BYX95, EM513 |
1300V, 1A |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY134(GP) Diodo Silicio |
BY 126...127, BY 226...227, 1N4006...07 |
=BY 133, 600V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY135(GP) Diodo Silicio |
BY 126...127, BY 226...227, 1N4003...07 |
=BY 133, 150V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
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BY206(GP) Diodo Silicio |
BA157...159, BY 204/4, BY 406...407 |
350V, 0,4A, <300ns |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY207(GP) Diodo Silicio |
BA158...159, BY 204/8, BY 407 |
=BY 206, 600V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY208/...(GP) Diodo Silicio |
BY 245/..., BY 268...269, RGP 10J...M |
600..1000V, 0,75A, <350ns |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY226(GP,MGP) Diodo Silicio |
BY 253...255, BY 259/600, 1N5397...99 |
650V, 1,5A |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY227(GP,MGP) Diodo Silicio |
BY 255, BY 259/1000, BY 350/1300 |
=BY 226, 1250V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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BY251(G,GP) Diodo Silicio |
BYW17/200, (R)GP 30D...M, 1N5402...08 |
200V, 3A |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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Equivalência Transistor (series)
Diodos Equivalentes (series)
Equivalência Circuitos Integrados
Áudio (Equivalências e Circuitos)Equivalências CI STK
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