Equivalência de GP
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| Ref. | Equiv. | Aplic. | ucb | uce | ueb | PAR | Box Caixa | Pinos Pinout |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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1N5624(GP) Diodo Silicio |
BY 500/200, MR752...760, MR822...826 |
200V, 5A |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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1N5625(GP) Diodo Silicio |
BY 500/400, MR754...760, MR824...826 |
=1N5624, 400V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
|
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1N5626(GP) Diodo Silicio |
BY 500/600, MR756...760, MR826 |
=1N5624, 600V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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1N5627(GP) Diodo Silicio |
BY 214/800, MR758...760 |
=1N5624, 800V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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1N645(A,B,GP,J) Diodo Silicio |
BA157...159, BY 206...207, BY 404...405 |
225V, 0,4A |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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1N646(GP) Diodo Silicio |
BA157...159, BY 206...207, BY 404...405 |
=1N645, 300V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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1N647(GP) Diodo Silicio |
BA157...159, BY 207, BY 404...405 |
=1N645, 400V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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1N648(GP) Diodo Silicio |
BA158...159, BY 207, BY 405, 1N4005 |
=1N645, 500V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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1N649(GP) Diodo Silicio |
BA158...159, BY 207, BY 405, 1N4005 |
=1N645, 600V |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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AGP PNP Silicio |
=2SA1797 |
=2SA1797-P |
IC Min: HFE: IC Max: FT: Ptot: Pol: |
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