Simulação do funcionamento de um transístor

Formulas de funcionamento e simulação de um transístor

  • Ve - Tensão de Emissor. É a tensão do emissor relativamente à massa. Nesta simulação o valor deriva da formula Ve=Vb-0.7 excepto se em corte nesse caso Ve=Vee.A junção emissor-base actua como um díodo e consome 0,7 volts. Este valor ocorre para os transístores de silicio, para os transístores de germânio o valor é 0.2 volts.
  • Vb - Tensão Base. Tensão na base do transístor relativamente à massa.
  • Vc - Tensão Colector. Tensão do colector relativamente à massa. Nesta simulação o valor deriva da formula Vc=Vcc-(Ic*R1) excepto se em saturação, nesse caso Vc=Vb
  • Vcc - Tensão de Alimentação do Colector
  • Vee - Tensão Alimentação Emissor. Quando este valor está a zero, simula a ligação á linha terra ou massa.
  • Ib - Corrente de Base. Nesta simulação este valor é derivado da formula Ib=Ie-Ic.
  • Ic- Corrente de Colector. Nesta simulação este valor deriva da formúla Ic=Ie*alpha (alpha=beta/(beta+1)) excepto se o transístor estiver em saturação e nestas condições Ic=(Vcc-Vc)/R1
  • Ie - Corrente de Emissor. Nesta simulação deriva da formula Ie=(Ve-Vee)/R2.
  • P - Potência . A potência (calor) dissipado por um transístor. Para aplicações comuns a potência pode ser calculada coma formula P=(Vc-Ve)*Ic . Esta simulação usa uma formula mais apurada P = (Vc-Ve)*Ic + (Vb-Ve)*Ib
  • Saturação – Nesta condição, em que o transístor está a trabalhar em pleno. Nesta simulação esta condição ocorre quando a voltagem do colector fica ao mesmo nível da tensão da base
  • Polaridade – Tipo de transístor Bipolar NPN ou PNP."
Entradas
Tensões
VCC

Vb

VEE

Valor dos Componentes
Polaridade
Beta
R1 Ohms
R2 Ohms

Esquema transistor NPN e PNP
Resultados
Tensões


Vc

Ve

Potência
P

Correntes
Ic
Ib
Ie

Condições
Saturação
Corte

Transístores


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